Eversipn STT-MRAM的MJT细胞
< 返回列表时间: 2020-02-04来源:OSCHINA
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业界一直在寻求取代SRAM。其中之一包括自旋转移力矩MRAM(STT-MRAM)。新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性,具有无限的耐用性。



图1.STT-MRAM的MJT细胞

Everspin已经为SSD提供SST-MRAM设备。此外一些芯片制造商正专注于嵌入式 STT-MRAM ,它分为两个市场,嵌入式闪存替代和缓存。

STT-MRAM是具有磁隧道结(MTJ)存储器单元的单晶体管架构。它利用电子自旋的磁性在芯片中提供非挥发性特性。写入和读取功能在MTJ单元中共享相同的并行路径。

为此STT-MRAM正准备取代嵌入式NOR闪存芯片。此外,STT-MRAM旨在取代SRAM,至少用于L3缓存。STT-MRAM正在不断发展,以更密集地嵌入到SoC中,其更小的单元尺寸,更低的待机功率要求和非易失性提供了一个引人注目的价值主张,针对用作通用板载存储器和最后级别的大得多且易变的SRAM缓存。

但STT-MRAM的速度还不足以取代SRAM用于L1和/或L2缓存,还包括稳定性。我们相信STT-MRAM,访问时间将在5ns到10ns之间饱和。当你进入L1和L2缓存时,我们相信你需要去SOT-MRAM。

类似于STT-MRAM,SOT-MRAM仍处于研发阶段。不同之处在于SOT-MRAM在器件下集成了SOT层。根据Imec,它通过在相邻的SOT层中注入面内电流来引起层的切换。

当你切换STT-MRAM,需要通过MTJ推动当前,在内存主任IMEC。在SOT-MRAM中,你有两条路径,一条用于写入,另一条用于读取。读取就像STT。你通读了MTJ。写不是通过MTJ。这是一个很大的好处,因为您可以循环设备并对其进行优化以延长使用寿命。第二大优势是速度。我司 Everspin代理 不同容量的MRAM存储芯片
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